规格书 |
BPX80,82-89 BPX80,82-89 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 150 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 35V |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 50mA |
电流 - 暗(ID)(最大值) | 1nA |
波长 | 850nm |
可视角度 | 36° |
功率 - 最大 | 90mW |
安装类型 | Through Hole |
取向 | Top View |
包/盒 | 6-SDIP (0.071, 1.80mm) |
产品种类 | Phototransistors |
RoHS | RoHS Compliant |
最大功率耗散 | 90 mW |
最大暗电流 | 50 nA |
封装/外壳 | Multiple Digit Array |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 35 V |
最高工作温度 | + 80 C |
最低工作温度 | - 40 C |
产品 | Phototransistors |
工厂包装数量 | 150 |
类型 | Array |
波长 | 850 nm |
零件号别名 | Q62702P0030 |
电流 - 暗( Id)(最大) | 1nA |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 50mA |
定位 | Top View |
安装类型 | Through Hole |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 35V |
可视角度 | 36° |
功率 - 最大 | 90mW |
标准包装 | 150 |
其他名称 | Q62702P0030 |
封装/外壳 | 6-SDIP (0.071", 1.80mm) |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
集电极 - 发射极饱和电压 | 150 mV |
最大集电极电流 | 50 mA |
最大通态集电极电流 | 50 mA |
集电极 - 发射极击穿电压 | 35 V |
BPX 84也可以通过以下分类找到